金融界2025年4月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“薄膜介电常数测量结构及其测量方法”的专利，公开号 CN 119757879 A，申请日期为 2025年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种薄膜介电常数测量结构及其测量方法。本发明通过设置均包括串联的多条金属条、线宽不同的第一、第二测量单元，经电容测量以及计算以获取寄生电容中的层间电容、边缘电容，进一步设置包括并联的多条金属条的第三测量单元，经电容测量以及计算以获取寄生电容中的层内耦合电容；从而采用本实施例提供的薄膜介电常数测量结构，可以测量并排除包括层间电容、边缘电容、层内耦合电容的寄生电容干扰，通过获取实际电容获取相应线宽下薄膜介电层的薄膜介电常数，有效提高了电容及介电常数测量的精度。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币，实缴资本1607601.0503万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1804次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息976条，此外企业还拥有行政许可180个。
本文源自金融界